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内存

数据中心内存

您如果希望在处理器技术(GPU、CPU、XPU)上的投资取得更大效益,为处理器提供数据的内存是重中之重。凭借业界前沿的 HBM3E、大容量 RDIMM(96GB 和 128GB)、CXL 内存扩展模块、MRDIMM、SOCAMM 和 DDR5 等可扩展产品,美光提供种类丰富的数据中心内存解决方案,可让数据密集型 AI 工作负载始终以优化状态运行。

高带宽内存

美光开始送样 12 层堆叠 36GB HBM4,树立下一代 AI 内存性能标杆

美光向主要客户送样 HBM4。这些样品专为无缝集成下一代 AI 平台而设计,进一步巩固了美光在 HBM 数据中心及 AI 产品组合领域的前沿地位。美光 HBM4 比上一代 HBM3E 产品的能效提升 20% 以上。了解美光如何应对未来技术革新挑战。

黑色背景下的美光 HBM4 内存芯片(裸露电路设计)

精选资源

更多资源

DDR5 MRDIMM 技术支持计划

DDR5 MRDIMM 技术支持计划 (TEP) 提供了进入美光生态系统的途径,参加计划的公司可提前获得技术信息和支持、电气和热模型,以及内存产品,进而协助美光设计、开发和推出下一代计算平台。

三级模式

常见问答

SOCAMM 是美光提供的功耗最低的数据中心内存解决方案。

美光的 8 层和 12 层堆叠 HBM3E 可提供:

  • 逾 9.2Gbps 的业界前沿引脚速度,支持向下兼容 HBM2 初代设备的数据速率;
  • 带宽高达每堆叠 1.2 TB/s 以上。
  • 8 层堆叠 HBM3E 提供每堆叠 24GB 容量,12 层堆叠 HBM3E 的每堆叠容量甚至可高达 36GB。

我们的 SOCAMM 模块采用美光 LPDDR5X 技术,在容量、性能和能效方面均经过了实践验证。

是的。我们的 CZ122 内存扩展模块基于 CXL 标准打造。

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使用我们的设计工具和资源来测试、构建和维护高性能解决方案,为您的设计流程提供支持。

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